Транзистор 2Т803А импульсті модуляторларда, тұрақтандырғыштарда және кернеу қайта жасаушыларда қолдануға арналған.
Корпусы металл, шыны айырғыш зат қатты шеттерімен.
Транзистордың салмағы лақтырма фланцасысыз - 22г. көп емес.
Лақтырма фланцтың салмағы - 12г.
Корпусының түрі: КТЮ-3-20.
Техникалық жағдай: Ге3.365.007 ТЖ.
2Т803А транзистарлары кремни мезапланарлық құрылым n-p-n күшейткіш.
1.2. 2Т808А транзистор негізгі техникалық мінездемесі:
Транзистор құрылымы: n-p-n;
h21Э - тоқ беру санақ коэффициенті, (UКЭ=10В, IК=5А): 18-ден аз емес, 80-нен көп емес.
Iкэr – коллектор-эмиттер қайтар тоғы (UКЭ=60В, RЭБ=100 Ом): 5 мА көп емес.
IЭБ0 - эмиттер қайтар тоғы (UЭБ= 4 В): 20 мА көп емес.
UКЭнас – коллектор-эмиттер толықтыру кернеуі (IК=5А, IБ=1А): 2,5В көп емес.
У21Э 2 – тура берілудің статистикалық құламалығы, (UКЭ=10В, IК=5А): 2 А/В аз емес.
h21Э - тоқтың берілу коэффициент модулі (UКЭ=10В, IК=0,5А, f=10МГц): 2 аз емес.
UКЭ – коллектор-эмиттердің ең жоғары деңгейдегі мүмкінді қалыпты кернеуі: 60 В.
Uэб - эмиттер-базаның ең жоғары денгейдегі бекітілу кернеуі: 4 В.
UКЭ - коллектор-эмиттердің ең жоғары денгейдегі мүмкінді импульсті кернеуі, (Rбэ≤1кОм, τи≤10мкс, Q≥2): 80 В
РΣ - ең жоғары денгейдегі мүмкінді жиынтық сейілту қуаты: 60 Вт
Iк - коллектордің ең жоғары денгейдегі мүмкінді қалыпты тоғы: 10 А.
Тпер. мах - ең жоғары денгейдегі мүмкінді өтпелі температурасы - 1500С.
Ткорп. – корпусының ең жоғары денгейдегі мүмкінді температурасы- 1250С.
2. Жеткізілетін өнімге қойылатын талаптар.
2.1. Транзисторлары белгіленген тәртіппен бекітілген технологиялық регламент бойынша белгіленген стандарттардың талаптарына сәйкес дайындалуы тиіс.
2.2. Транзисторлары 1 санатты болуға, дайындаушы-зауыттың герметикалығын және сақталуын қамтамасыз ететін қаптамасында тауардың шығу тегін растайтын ілеспе құжаттармен (бұйымның номенклатурасын, партиясын, шығарылған күнін, жылын көрсете отырып, жапсырмалар, паспорттар) қоса берілуге тиіс.
Транзисторы 2Т803А предназначены для применения в стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных модуляторах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора без накидного фланца не более 22 г.
Масса накидного фланца не более 12 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Технические условия: Ге3.365.007 ТУ.
Транзисторы 2Т803А кремниевые мезапланарные мощные структуры n-p-n переключательные.
Осн тех характеристики транзистора 2Т803А:
Структура транзистора: n-p-n;
h21Э - статический коэффициент передачи тока, (UКЭ=10В, IК=5А): не менее 18, не более 80.
Iкэr - обратный ток коллектор-эмиттер (UКЭ=60В, RЭБ=100 Ом): не более 5 мА.
IЭБ0 - обратный ток эмиттера (UЭБ= 4 В): не более 20 мА.
UКЭнас - напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IК=5А, IБ=1А):
не более 2,5В.
У21Э 2 - статистическая крутизна прямой передачи, (UКЭ=10В, IК=5А):
не менее 2 А/В
h21Э - модуль коэффициента передачи тока (UКЭ=10В, IК=0,5А, f=10МГц):
не менее 2.
UКЭ макс - макс допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер: 60В.
Uэбмакс - макс допустимое запирающее напряжение эмиттер-база: 4 В.
UКЭ и макс - макс допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер, (при Rбэ≤1кОм, τи≤10мкс, Q≥2): 80 В
РΣ макс - макс допустимая суммарная рассеиваемая мощность: 60 Вт
Iк макс - макс допустимый постоянный ток коллектора: 10 А.
Тпер. мах - макс допустимая температура перехода - 150 ºС.
Ткорп.макс - макс допустимая температура корпуса - 125 ºС.
2. Требования к поставляемому товару.
2.1. Транзисторы должны быть изготовлены в соответствии с требованиями установленных стандартов по технологическому регламенту, утвержденному в установленном порядке.
2.2. Транзисторы должны быть 1 категории, поставляться в упаковке завода-изготовителя, обеспечивающей герметичность и сохранность, с приложением сопроводительных документов, подтверждающие происхождение товара (этикеток, паспортов с указанием номенклатуры изделия, партии, даты, года выпуска).
