Транзистор 2Т808А импульсті модуляторларда, тұрақтандырғыштарда және кернеу қайта жасаушыларда қолдануға арналған.
Корпусы метал, шыны айырғыш затпен және қатты шеттерімен шығарылады.
Транзистордың салмағы лақтырма фланцасысыз - 22г. көп емес.
Лақтырма фланцтың салмағы - 12г.
Корпустың түрі: КТЮ-3-20. Техникалық жағдай: Ге3.365.007 ТЖ.
2Т808А транзистарлары кремни мезапланарлық, құрылым n-p-n күшейткіш
1.2. 2Т808А транзистор негізгі техникалық мінездемесі:
Транзистор құрылымы: n-p-n;
h21Э - тоқ беру санақ коэффициенті, (UКЭ=3В, IК=6А): 10-нан аз емес, 50-ден көп емес.
Iкэr - коллектор-эмиттер қайтар тоғы (UКЭ=200В, RЭБ=10 Ом): 3 мА көп емес.
IЭБ0 - эмиттер қайтар тоғы (UЭБ= 4 В): 50 мА көп емес
UБЭнас - база-эмиттер толықтыру кернеуі (IК=6А, IБ=0,6А): 2,5 В. көп емес.
h21Э - тоқтың берілу коэффициент модулі f=3 МГц
(UКЭ=10В, IК=0,5А,): 2,5-ден аз емес.
СК – коллекторлік ауысудың көлемі (UКБ=10В, f=1 МГц): 500 пФ. көп емес.
tрас – сіңіру уақыты (IК=6 А, UК=15В, IБнас=IБзап=2 А): 2 нс. көп емес.
UКЭ max - коллектор-эмиттердің ең жоғарғы салыстырмалы қалыпты кернеуі.
(RЭБ=10 Ом): 120 В.
UЭБ max - эмиттер-базаның ең жоғарғы жабу кереуі: 4 В
UКЭ и max - коллектор-эмиттердің ең жоғарғы жабу кереуі (жабылған кернеуде UЭБ=2 В или RЭБ=10Ом): 250 В.
Iк max - коллектордің ең жоғарғы салыстырмалы қалыпты тоғы: 10 А.
IБ max - базаның ең жоғарғы салыстырмалы қалыпты тоғы: 4 А.
РК max – коллектордың ең жоғарғы салыстырмалы қалыпты сейілту куаты: 50 Вт.
tпер. max - ең жоғарғы салыстырмалы ауысу температурасы: 1500С.
tкорп.макс - корпустың ең жоғарғы салыстырмалы температурасы: 1250С
Транзисторлары белгіленген тәртіппен бекітілген технологиялық регламент бойынша белгіленген стандарттардың талаптарына сәйкес дайындалуы тиіс.
Транзисторлары 1 санатты болуға, дайындаушы-зауыттың герметикалығын және сақталуын қамтамасыз ететін қаптамасында тауардың шығу тегін растайтын ілеспе құжаттармен
Транзисторы 2Т808А предназначены для применения в стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных модуляторах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора без накидного фланца не более 22 г.
Масса накидного фланца не более 12 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-20. Технические условия: Ге3.365.007 ТУ.
Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные мощные структуры n-p-n переключательные.
Осн тех харак-ки транзистора 2Т808А:
Структура транзистора: n-p-n;
h21Э - статический коэффициент передачи тока, (UКЭ=3В, IК=6А): не менее 10, не более 50.
Iкэr - обратный ток коллектор-эмиттер (UКЭ=200В, RЭБ=10 Ом): не более 3 мА.
IЭБ0 - обратный ток эмиттера (UЭБ= 4 В): не более 50 мА.
UБЭнас - напряжение насыщения база-эмиттер (IК=6А, IБ=0,6А): не более 2,5 В.
h21Э - модуль коэффициента передачи тока на частоте f=3 МГц (UКЭ=10В, IК=0,5А): не менее 2,5.
СК – Емкость коллекторного перехода (UКБ=10В, f=1 МГц): не более 500 пФ.
tрас – время рассасывания (IК=6А, UК=15В, IБнас=IБзап=2 А): не более 2 нс.
UКЭ max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ=10 Ом): 120 В.
UЭБ max - максимально допустимое запирающее напряжение эмиттер-база: 4 В
UКЭ и max - максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер, (при запирающем напряжении UЭБ=2 В или RЭБ=10Ом): 250 В.
Iк max - максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А.
IБ max - максимально допустимый ток базы: 4 А.
РК max - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 Вт.
tпер. max - максимально допустимая температура перехода: 150 ºС.
tкорп.макс - максимально допустимая температура корпуса: 125 ºС.
Транзисторы должны быть изготовлены в соответствии с требованиями установленных стандартов по технологическому регламенту,
Транзисторы должны быть 1 категории, поставляться в упаковке завода-изготовителя, обеспечивающей герметичность и сохранность, с приложением сопроводительных документов, подтверждающие происхождение товара
