1.1. Транзистор 2Т808А импульсті модуляторларда, тұрақтандырғыштарда және кернеу қайта жасаушыларда қолдануға арналған.
Корпусы метал, шыны айырғыш затпен және қатты шеттерімен шығарылады. Транзистордың салмағы лақтырма фланцасысыз - 22г. көп емес.
Лақтырма фланцтың салмағы - 12г.
Корпустың түрі: КТЮ-3-20.
Техникалық жағдай: АО.365.024ТУ.
2Т808А транзистарлары кремни мезапланарлық, құрылым n-p-n ауыстырып-қосқыш
1.2. 2Т808А транзистор негізгі техникалық мінездемесі:
Транзистор құрылымы: n-p-n;
Рк т max – Коллектордың жылу жіберумен қалыпты сейілту қуаты: 50 Вт;
fгр – транзистордың жалпы эмиттермен схемасы үшін тоқ жіберу шектескен жиілік коэффициенті: 50 МГц көп емес;
Uкэr max – Коллектор-эмиттердің ең жоғарғы кернеуі берілген тоқ коллекторында және база-эмиттер тізбегіндегі берілген кедергі: 100 В (0,01кОм);
Uэбо max – берілген қайта тоқта эмиттер-базаның және коллектордың ажыратылған тізбегіндегі ең жоғары кернеуі: 5 В;
Iк max – коллектор тоғының ең жоғары мүмкіндігінің қалыпты деңгейі: 10 А;
Коллектордың ең жоғары мүмкіндік тоғы: 10 А;
Iкэr – берілген қайтар кернеудегі коллектор-эмиттер және база-эмиттер тізбегіндегі кедергі, коллектор-эмиттердің қайтар тоғы: 25 мА (100В) көп емес; h21э - транзистордың жалпы эмиттермен схемасы үшін тоқтың берілу статистикалық коэффициенті: 8... 60;
Ск - коллекторлық ауысудың көлемі: 700 пФ; пФ көп емес;
Rкэ нас - коллектор мен эмиттер арасындағы толықтыру қарсылығы: 0,15 Ом көп емес.
tрас –Сіңіру уақыты 2600 нс. көп емес.
2. Жеткізілетін өнімге қойылатын талаптар.
2.1. Транзисторлары белгіленген тәртіппен бекітілген технологиялық регламент бойынша белгіленген стандарттардың талаптарына сәйкес дайындалуы тиіс.
2.2. Транзисторлары 1 санатты болуға, дайындаушы-зауыттың герметикалығын және сақталуын қамтамасыз ететін қаптамасында тауардың шығу тегін растайтын ілеспе құжаттармен (бұйымның номенклатурасын, партиясын, шығарылған күнін, жылын көрсете отырып, жапсырмалар, паспорттар) қоса берілуге тиіс.
1.1. Транзисторы 2Т808А предназначены для применения в стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных модуляторах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Технические условия: АО.365.024ТУ. Масса транзистора без накидного фланца не более 22 г.
Масса накидного фланца не более 12 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
1.2. Основные технические характеристики транзистора 2Т808А:
Структура транзистора: n-p-n;
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 50 МГц;
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100В (0,01кОм);
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5В;
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10А;
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 25 мА (100В);
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 8... 60;
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 700 пФ;
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,15 Ом;
tрас - Время рассасывания: не более 2600 нс.
2. Требования к поставляемому товару.
2.1. Транзисторы должны быть изготовлены в соответствии с требованиями установленных стандартов по технологическому регламенту, утвержденному в установленном порядке.
2.2. Транзисторы должны быть 1 категории, поставляться в упаковке завода-изготовителя, обеспечивающей герметичность и сохранность, с приложением сопроводительных документов, подтверждающие происхождение товара (этикеток, паспортов с указанием номенклатуры изделия, партии, даты, года выпуска).
